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Institut polytechnique de Grenoble

Grenoble Institute of Engineering
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Soutenance de Mr Xuan Hoa NGUYEN

Publié le 26 septembre 2011
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Soutenance 3 octobre 2011

3 octobre 2011 à 10h15. Méthodes et modèles pour une approche de dimensionnement géométrique et technologique d'un semi-conducteur de puissance Intégré. Application à la conception d’un MOSFET vertical.

Le 3 octobre 2011 à 10h15
Soutenance de M. NGUYEN Xuan Hoa pour une thèse de DOCTORAT de l'Université de Grenoble, spécialité Genie Electrique, intitulée : Méthodes et modèles pour une approche de dimensionnement géométrique et technologique d'un semi-conducteur de puissance Intégré. Application à la conception d'un MOSFET vertical.
 
Lieu :   l'Amphithéâtre A10 - Grenoble INP - Ense3 - Rue de la Houille Blanche - Domaine Universitaire - SAINT- MARTIN-D'HERES
 
Thèse préparée dans le laboratoire de Génie Electrique de Grenoble (G2ELab), sous la direction conjointe de M. Laurent GERBAU, M. Jean Christophe CREBIER et M. Nicolas ROUGER.

Présentation rapide de la thèse
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mise à jour le 26 septembre 2011

Université Grenoble Alpes