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> Formation > Doctorats

Soutenance de Maylis LAVAYSSIERE

Publié le 24 février 2011
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Soutenance 2 mars 2011

Le 02 mars 2011 à 9h00. Electrical and chemical mapping of silicon pn junctions using energy-filtered X-ray PhotoElectron Emission Microscopy.

Le 02 mars 2011 à 9h00

Soutenance de Mlle Maylis LAVAYSSIERE pour une thèse de DOCTORAT de l'Université de Grenoble, spécialité Micro-Nano Electronique intitulée : Electrical and chemical mapping of silicon pn junctions using energy-filtered X-ray PhotoElectron Emission Microscopy.

Lieu : CEA LETI MINATEC, salle B221 

3 parvis Louis Néel
38054 F-Grenoble cedex 9

Thèse préparée dans le Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (LETI) du CEA Grenoble (DPTS SCPIO LCPO), sous la direction conjointe de M. Nicholas BARRETT et M. Olivier RENAULT.

Présentation rapide de la thèse


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mise à jour le 4 mars 2011

Univ. Grenoble Alpes