Aller au menu Aller au contenu
Une excellence accessible à tous

Institut polytechnique de Grenoble

Grenoble Institute of Engineering
Une excellence accessible à tous
Une excellence accessible à tous

> Formation > Doctorats

Soutenance de Louis Hutin

Publié le 4 octobre 2010
A+Augmenter la taille du texteA-Réduire la taille du texteImprimer le documentEnvoyer cette page par mail Partagez cet article Facebook Twitter Linked In Google+ Viadeo
Soutenance

7 octobre 2010 à 10h. Etude des transistors MOSFET à barrière Schottky à canal Silicium et Germanium sur couches minces.

7 octobre 2010 à 10h. Soutenance de Louis Hutin pour une thèse de doctorat de l'Institut polytechnique de Grenoble, spécialité  Micro et Nano Electronique   intitulée : Etude des transistors MOSFET à barrière Schottky à canal Silicium et Germanium sur couches minces.

Lieu : CNRS - amphithéâtre du bâtiment administratif (2ème étage) - 25, rue des Martyrs - 38042 GRENOBLE

Thèse préparée dans le Laboratoire  des Dispositifs Innovants (LDI) du CEA-Leti et en collaboration avec l'IMEP-LAHC, sous la direction de M  Gérard GHIBAUDO.

Présentation rapide de la thèse
A+Augmenter la taille du texteA-Réduire la taille du texteImprimer le documentEnvoyer cette page par mail Partagez cet article Facebook Twitter Linked In Google+ Viadeo

mise à jour le 4 octobre 2010

Univ. Grenoble Alpes