Soutenance de Estelle Batail

Publié le 24 septembre 2009

A+Augmenter la taille du texteA-Réduire la taille du texteImprimer le documentEnvoyer cette page par mail

Soutenance

29 septembre 2009 à 10h30. Etude et Intégration de dispositifs MOS à canal de conduction haute mobilité obtenus en technologie Silicon-On-Nothing / Germanium-On-Nothing.

29 septembre 2009 à 10h30. Soutenance de Estelle Batail pour une thèse de doctorat de l'Institut polytechnique de Grenoble, spécialité Micro et NanoElectronique, intitulée : Etude et Intégration de dispositifs MOS à canal de conduction haute mobilité obtenus en technologie Silicon-On-Nothing / Germanium-On-Nothing.

Lieu : MINATEC NORD, Amphi PO15 - 23, rue des Martyrs - GRENOBLE (38)

Thèse préparée dans le laboratoire IMEP-LAHC et l'entreprise STMicroelectronics, sous la direction conjointe de M. Gérard GHIBAUDO (IMEP) et M. Thomas SKOTNICKI (ST).

Présentation rapide de la thèse

A+Augmenter la taille du texteA-Réduire la taille du texteImprimer le documentEnvoyer cette page par mail

mise à jour le 24 septembre 2009

Institut polytechnique de Grenoble
(Grenoble Institute of Engineering)
46 avenue Félix Viallet
38031 Grenoble Cedex 1 - France
Tél. : +33 4 76 57 45 00 - Fax. : +33 4 76 57 45 01