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Institut polytechnique de Grenoble

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Soutenance d'Oussama Ghobar

Publié le 28 mai 2008
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Soutenance

Etude des defauts de l'interface Si/SiO2 des transistors MOS conventionnels et de ceux de la couche interfaciale des transistors MOS utilisant HfO2 comme dielectrique de grille.

18 juin 2008 à 14h. Soutenance d'Oussama Ghobar pour une thèse de doctorat de l'Institut polytechnique de Grenoble, Micro Nano Electroniques  intitulée : Etude des defauts de l'interface Si/SiO2 des transistors MOS conventionnels et de ceux de la couche interfaciale des transistors MOS utilisant HfO2 comme dielectrique de grille.

Thèse préparée dans le laboratoire IMEP-LAHC, sous la direction conjointe de M Daniel BAUZA.

Lieu : Amphi Minatec Sud, MINATEC, 3 Parvis Louis Néel, 38016 Grenoble

Présentation rapide de la thèse
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mise à jour le 29 mai 2008

Univ. Grenoble Alpes