BLANQUET Elisabeth

Directrice de Recherches CNRS
SIMaP - Phelma 1130 rue de la piscine BP 75 38402 Saint Martin D' Hères
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Développements de procédés CVD (Chemical Vapor Deposition) et ALD (Atomic Layer Deposition)  de films minces de nitrures, carbures, oxydes  pour l'énergie.


Dernières publications:

Synthesis of upconversion TiO2:Er3+-Yb3+ nanoparticles and deposition of thin films by spin coating technique.
F. Trabelsi, F. Mercier, E.Blanquet, A. Crisci, R. Salhi.
Ceramics International, Elsevier, 2020, 46 (18), pp.28183-28192. 10.1016/j.ceramint.2020.07.317.

Improved critical temperature of superconducting plasma-enhanced atomic layer deposition of niobium nitride thin films by thermal annealing
L. Tian, I. Bottala-Gambetta, V. Marchetto, M. Jacquemin, A. Crisci, R. Reboud, A. Mantoux, G.  Berthomé, F. Mercier, A. Sulpice, L. Rapenne, F. Weiss, C. Jiménez, E. Blanquet
Thin Solid Films, 2020, 709, 138232

In situ x-ray studies of the incipient ZnO atomic layer deposition on In0.53Ga0.47As
E. V. Skopin , L. Rapenne, J. L. Deschanvres , E. Blanquet , G. Ciatto , L. Pithan , D. D. Fong , M.-I. Richard, H. Renevier
Physical Review Materials, 2020, 4, 043403, 1-9

Prediction of dislocation density in AlN or GaN films deposited on (0001) sapphire
S. Lay, F. Mercier, R. Boichot, G. Giusti, M. Pons, E. Blanquet
Journal of Materials Science, 2020, 55, 9152-9162

Chemical vapor deposition of titanium nitride thin films: kinetics and experiments
J. Su, R. Boichot, E. Blanquet, F. Mercier, M. Pons
CrystEngComm, 2019, 21, 3974-3981

Influence of oxide density on O2 diffusivity in thermally grown SiO2 and SiGe and on oxidation kinetics
F. Roze, P. Gergaud, N. Jaouen, O. Gourhant, E. Blanquet, F. Bertin
Semiconductor Science and Technology, IOP Publishing, 2019, 34, 6, 065023 6p

Impact of silica chemistry on the ALD-deposition of tantalum nitride thin films: microstructure, chemistry and electrical behaviors
F. Volpi, L. Cadix, G. Berthomé, S. Coindeau, T. Encinas, N. Jourdan, E. Blanquet
Thin Solid Films, 2019, 669, 392–398

Deposition and characterization of (Ti,Al)N coatings deposited by thermal LPCVD in an industrial reactor:
F. Uny  S. Achache, S. Lamri, J.  Ghanbaja, E. Fischer, M.  Pons, E. Blanquet, F. Schuster, F. Sanchette
Surface & Coatings Technology, 2019, 358, 923-933

Crystal Quality of SiGe Films Fabricated by the Condensation technique and Characterized by Medium Energy Ion Scattering
F. Roze, F. Pierre, O. Gourhant , F. Bertin, E. Blanquet, D. Rouchon
Semiconductor Science and Technology, IOP Publishing, 2019, 34, 6, 065005
 



 

Activités / CV

Responsabilités :
Directrice Adjointe du laboratoire SIMaP
Directrice du GDR RAFALD (Réseau des Acteurs Français de l'ALD)


Directrice Adjointe du pôle de recherche PEM (Physique, Ingénièrie, Matériaux) de la COMUE UGA (2015-2020)
Responsable scientifique de l’axe IRP Interdisciplinary Research Project “Ingéniérie des films minces” du labex CEMAM, Centre d’Excellence sur les Matériaux Architecturés Multifonctionnels (2010- 2018)


Membre des comités CES et CEP ANR MATEPRO, AAP Défi 3 (2013-2016)
Responsable scientifique de l’axe “Matériaux pour l’énergie” de la Communauté Académique de Recherche (ARC) ENERGIES Rhône-Alpes, ARC4 (2012-2017).

Membre nommé du CNU 33e section (2011-2015)


Emplois et activités successifs:

1991-93 : CDD ingénieur au NASA Lewis Research Center Cleveland, Ohio - USA 
1993 :       Recrutement CNRS Chargée de Recherche CR2 ; Dept Sciences Chimiques, LTPCM

Formation:

1987 :      Diplôme d’ingénieur de l’Ecole Nationale Supérieure d’Electrochimie et Electrométallurgie de Grenoble (ENSEEG/INPG), Option Matériaux
1987 :       DEA de l’ENSEEG, Option Métallurgie
1990 :       Doctorat de l’Institut National Polytechnique de Grenoble
 “Dépôt chimique en phase vapeur de siliciures pour la microélectronique

Spécialité Sciences des Matériaux et Métallurgie
2000 :       Habilitation à diriger des recherches, INPG
Développement de couches minces par dépôt chimique à partir d’une phase gazeuse : expériences et simulations de procédés